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《ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案》

来源:网络 热度:103℃ 2024/12/9 14:16:13


 

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  本课程主要分享静电保护的市场需求,技术挑战及如何设计高抗性的芯片级ESD/Latch-up 防护。前半段以深入浅出的方式讲解ESD防护设计概念,后半段解密如何使用代工厂提供的免费ESD器件保护您的芯片,并且延伸至全芯片ESD/Latch-up 防护。

  此课程兼顾理论及配合实例,带领各位一步步了解如何设计高可靠性的ESD/Latch-up防护。

  第一课时与第二课时为试听课程,学员可以进行免费试听。

  本课程有讲师答疑群,添加微信:ssywtt  留言:ESD已购,拉入答疑群。

  

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  凡发现者,以后中高阶课程都将不再享有任何优惠机会,同时将不再邀请进讲师答疑群。详情可以添加微信:ssywtt 进行咨询本课程共计25课时,目前已经连载到第10课时:ESD与Latch-up: 高抗性与解决方案

  课程目录

  1.市场需求

  ·高可靠性的电子产品/芯片对人们的重要性(从消费级,工业级,车规级,航空到军工)

  ·芯片/系统级ESD防护的市场需求及重要性

  2.技术挑战

  ·宏观的介绍ESD防护的技术挑战及国内ESD保护的现状

  3.ESD的模式及工业测试标准

  ·芯片级/系统级的工业测试模型及测试标准,并介绍客服对芯片级/系统级ESD保护的反馈及趋势

  4.ESD的测试

  ·宏观的介绍芯片级/系统级ESD测试方法

  5.ESD防护设计概念

  ·ESD保护必须要遵守的基本概念及常用ESD防护器件(ggnmos,sgpmos,bigFET,scr等器件在ESD冲击下的行为模式)

  6.工艺对ESD的影响及对应的防护技术

  ·宏观介绍工艺对ESD防护的影响

  ·工艺对ggnmos,scr等带回扫特性的影响及解决方案

  ·最后介绍使用scr的必要设计概念及多种以scr为基础的防护方案

  7.高可靠性ESD设计

  ·开场以使用代工厂提供的通用ESD保护器件设计的影响

  ·代工厂一般提供哪些免费通用ESD器件

  ·当您使用代工厂ESD器件防护芯片时的困扰是什么

  ·如何使用代工厂的ESD器件有效的防护您的芯片

  ·代工厂的ESD器件受限有哪些

  ·如何偷代工厂的ESD design rule及如何画好ggnmos版图为例做介绍

  ·ggnmos的non-uniform turn-on的原理及版图上的解决方案

  ·介绍全芯片的两种防护策略:pad-based以及rail-based的设计要求,限制及比较

  ·最后以多种实例介绍失效原因,解决方案做结尾

  8.闩锁效应(Latch-up)

  ·什么是latch-up

  ·Latch-up的工业测试标准及方式

  ·预防latch-up的方法

  ·如何设计latch-up test chip增强您芯片latch-up可靠性

  ·最后以各种实例介绍非预期的latch-up paths

  9.团队成功案例

  ·简介团队在芯片级/系统级ESD防护的成功案例

  ·团队的技术能力,服务项目及对标客户

  10.问题与解答

  课程摘要

  集成电路的发展有三个过程。第一过程,做出来了可以用就行。第二过程,能够用而且要求好的性能,第三个过程,性能好而且可靠性要高。

  中国刚刚进入第三个过程,在与国外集成电路产品的市场竞争中,可靠性问题是国产集成电路产品的短板,尤其是在高稳定性和可靠性的芯片方面,国内和国外的差距是巨大的。而静电放电所产生的破坏又是可靠性里面的一个重要的环节。随着集成电路的复杂性持续升高,如何设计有效的静电保护成为一个非常关键的技术瓶颈。

  这次的课题主要分享静电保护的市场需求,技术挑战及如何设计高抗性的芯片级ESD/Latch-up防护。前半段以深入浅出的方式讲解ESD防护设计概念,后半段解密如何使用代工厂提供的免费ESD器件保护您的芯片,并且延伸至全芯片ESD/Latch-up防护。

  此课程兼顾理论及配合实例,带领各位一步步了解如何设计高可靠性的ESD/Latch-up防护。

  授课讲师

  赖大伟高级顾问

  赖大伟于中国台湾交通大学电子专业硕士毕业。有15年以上海外知名半导体企业任职经验, 2003年加入台积电任职IO ESD电路工程师;2010年加入新加坡 GlobalFoundries 任职ESD技术经理;2013年至2021年加入荷兰NXP公司,任职IO ESD首席架构设计师并于2019年获得NXP著名发明家奖项。现任苏州智聚芯联特聘高级顾问、杭州昕位科技特聘高级顾问、西安电子科大企业导师。2024年评定省千创新人才、杭州市西湖明珠人才。

  赖大伟长期致力于IC领域中的IO/ESD保护模块设计,在多家国际头部公司担任核心职位,其技术涵盖CMOS、SOI和HV(高压) BCD等多种工艺,从0.18um到16nm线宽均具有丰富的经验。有丰富的车载ESD的设计经验,在NXP工作期间,负责40nm和16nm先进工艺的片上ESD保护架构设计,解决车载以太网芯片系统级保护难题,单颗芯片降本约30%,广泛用于其他工艺和产品。并于2017年被“EOS/ESD Symposium”授予“Industry Contribution Award”

  在个人创新研发方面,赖大伟同志已申请并获得87项专利,这些专利经常被业界广泛引用和应用。此外,还在IEEE等国际权威期刊上发表了多篇科技论文,这些论文在相关学科领域引起了重大话题和广泛的讨论,并获得较高的学术评价。

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